1、轉(zhuǎn)速采用手動調(diào)整變頻器頻率的控制方式。
2、可同時(shí)對4片最大尺寸為Φ2" 的基片進(jìn)行雙面研磨拋光。
3、可進(jìn)行薄片的雙面減薄。
4、是雙面研磨拋光Si、 Ge 、氧化物單晶基片的理想工具。
1、電源:220V 50Hz
2、功率:550W
3、磨拋盤:Φ225mm
4、磨拋盤轉(zhuǎn)速:0-72rpm內(nèi)無級可調(diào)
5、最大樣件尺寸:Φ50mm,厚度≤15mm
6、上磨拋盤重量:3.5kg
尺寸:650mm×500mm×580mm;
重量:80kg
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